Les transistors bipolaires : Fonctionnement en haute fréquence, le schéma de Giacoletto

Le schéma proposé par Giacoletto décrit le comportement d’un transistor fonctionnant en haute fréquence.

La capacité de la jonction d’Emetteur C_B’E s’agit d’une capacité de diffusion d’une diode polarisée en direct. Elle dépend du courant qui la traverse.

La capacité de la jonction du collecteur C_B’C s’agit d’une capacité de barrière analogique (la capacité parasite) d’une jonction PN polarisé en inverse. Elle varie en fonction de la tension qui la traverse.

r s’agit d’une résistance interne de la jonction Base-Emetteur. Elle varie en fonction de l’intensité I_B0.

R s’agit de la résistance interne en sortie. Elle varie en fonction de I_C0.

En considérant la tension inverse V_BC appliquée à la jonction du collecteur comme étant négative, et S l’aire de la jonction du collecteur, nous aurons :

Si la valeur de β en basse fréquence est β₀, alors S = β₀/ r.

En fonctionnement haute fréquence, le module β et la phase φ

φ = -arctan (f / f_β)

f_β:La fréquence de coupure

Si nous considérons f_t comme étant la fréquence de transition, alors f_t = β₀ x f_β.

S et C_B’E sont liées par la formule:
C_B’E = S / (2πf_t)

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