Le schéma proposé par Giacoletto décrit le comportement d’un transistor fonctionnant en haute fréquence.
La capacité de la jonction d’Emetteur CB’E s’agit d’une capacité de diffusion d’une diode polarisée en direct. Elle dépend du courant qui la traverse.
La capacité de la jonction du collecteur CB’C s’agit d’une capacité de barrière analogique (la capacité parasite) d’une jonction PN polarisé en inverse. Elle varie en fonction de la tension qui la traverse.
r s’agit d’une résistance interne de la jonction Base-Emetteur. Elle varie en fonction de l’intensité
IB0.
R s’agit de la résistance interne en sortie. Elle varie en fonction de IC0.
En considérant la tension inverse VBC appliquée à la jonction du collecteur comme étant
négative, et S l’aire de la jonction du collecteur, nous aurons :
Si la valeur de β en basse fréquence est β0, alors S = β0/ r.
En fonctionnement haute fréquence, le module β et la phase φ
φ = -arctan (f / fβ)
fβ:La fréquence de coupure
Si nous considérons ft comme étant la fréquence de transition, alors ft = β0 x fβ.
S et CB’E sont liées par la formule:
CB’E = S / (2πft)