Le transistor à effet de champ
Un transistor à effet de champ (FET : Field effect transistor) est un transistor qui a la capacité d’utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et la conductivité d’un canal dans un semi-conducteur.
1. Le transistor à effet de champ à jonction
Un transistor à effet de champ à jonction (JFET) à canal N est un cristal de semi-conducteur de type N dans lequel le substrat et la grille sont fortement dopés P+ et sont reliés au canal. Le drain et la source sont fortement dopés N+.
La tension drain-source VDS doit être positive tandis que la tension grille-source VGS doit être négative. Ainsi les 2 jonctions sont polarisées en inverse.
Dans le cas d’un canal P, les dopages de chaque partie et les tensions de fonctionnement sont inversés par rapport à ceux du canal N.
La source (S), le drain (D) et la grille forment les trois électrodes du transistor.
Symbole :
2. Le transistor MOS
Un transistor à effet de champ à grille isolée MOSFET (Metal Oxide Semiconductor field Transistor)
est un FET qui module le courant qui le traverse à l’aide d’un signal appliqué à sa grille qui est
isolé du canal par une couche de dioxyde de silicium (SiO2).
Il y a MOSFET de type P et des MOSFET de type N.
Pour le MOS de type N, le transistor est constitué d’un substrat de P faiblement dopé, dans lequel
on diffuse deux zones de N+ fortement dopés.
Pour la MOSFET de P, c’est tout à fait l’inverse.
Une question ?
