Les capacités de la diode à jonction PN

1. La capacité de transition

Nous avons bien remarqué que La jonction PN est constituée de 2 charges opposées immobiles. Il s’agit d’un condensateur à électrodes plates. Sa capacité appelée capacité de transition ou capacité de barrière est donnée par la formule :
C_T = (ε₀ε_rS)/d
S: la surface de la jonction
d: la distance de la jonction
ε₀: la permittivité du vide
ε_r : la permittivité relative du semi-conducteur
Si NA>>ND,

Il faut noter que la capacité de transition est proportionnelle à la surface de la jonction S et à la conductivité de la base. Elle dépend largement de la tension V_D et de la température. Voici la représentation de la courbe de dépendance de capacité de transition C_T et de la tension V_D.

2. La capacité de diffusion

Si on polarise une diode en sens direct, il y aura un déplacement de trous de l’anode vers la cathode et un déplacement d’électrons de la cathode vers l’anode.
Après un temps τ_p (temps de vie de trous), les trous passés dans la cathode vont se recombiner avec les électrons de celle-ci. Et en un temps τ_n (temps de vie des électrons), les électrons passés dans l’anode vont se recombiner avec les trous de celle-ci. Donc il y aura toujours une charge positive dans la cathode et une charge négative dans l’anode qui sont composées des porteurs non recombinés : C’est ce qu’on appelle capacité de diffusion C_D.

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